euv duv差異
「euv duv差異」熱門搜尋資訊
duv和euv光刻机区别
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DUV是深紫外线（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是极深紫外线（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者采用极紫外光刻技术，后者采用深紫外光刻 ...
DUV和EUV光刻机的区别在哪？
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DUV和EUV光刻机的区别在哪？
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DUV和EUV最大的区别在光源方案。EUV的光源波长为13.5nm，但最先进DUV的光源波只有193nm，较长的波长使DUV无法实现更高的分辨 ...
euv和duv區別是什麼
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euv和duv區別：1、duv基本上只能做到25nm，而euv能滿足10nm以下的晶圓權制造；2、duv主要利用光的折射原理，而euv利用的光的反射原理，內部必須為真空 ...
全球瘋搶EUV 曝光機！究竟是摩爾定律的救命曙光
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反之，EUV 僅僅曝光一次，就可以達到將近10 奈米的結構，雙重曝光即可做到5 奈米以下，所以即使現有DUV 技術可支援至7 奈米、5 奈米，也只能落到良率不佳 ...
同样能造出7nm芯片，EUV光刻机对比DUV光 ...
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DUV光刻机光源为准分子激光，而EUV光刻机则是激光激发等离子来发射EUV光子。通过不同方式，二者发出的光源也不同。其中，DUV光刻机的波长能达到193纳米， ...
同樣能造出7nm晶片，EUV光刻機對比DUV光 ...
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DUV光刻機光源為準分子雷射，而EUV光刻機則是雷射激發等離子來發射EUV光子。通過不同方式，二者發出的光源也不同。其中，DUV光刻機的波長能達到193納米， ...
小辭典》什麼是DUV設備？
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... 光源（Deep Ultraviolet；DUV），波長可從365奈米縮減到193奈米；最新技術的極紫外光源（Extreme Ultraviolet；EUV），更將波長縮減至13.5奈米。
極紫外光微影製程
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EUV微影製程選擇第二中作法,將光源波長降低13.5奈米來提升電路圖案解析度，由於EUV波長太短,非常容易被大氣吸收,因此此道製程需要在真空環境中完成。目前EUV微影製程機台由 ...